| 摘要 |
本发明提供一种具有高闸极耐压、高源极╱汲极耐压，并且具有低导通电阻之高耐压MOS电晶体。在该MOS电晶体中，系于磊晶矽层2上隔着LOCOS膜4形成闸极电极5。于LOCOS膜4的左侧形成P型的第一漂移层6，并夹着闸极电极5而于LOCOS膜4右侧的磊晶矽层2表面配置与第一漂移层6相对的P＋型之源极层7。此外，形成有P型之第二漂移层9，该第二漂移层9系从第一漂移层6的下方朝LOCOS膜4左侧下方延伸，并扩散于比第一漂移层6还深的磊晶矽层２中。于LOSOC膜4左端下方的第二漂移层9下方部形成有凹部R。 |
