太阳能电池之矽材料的掺杂方法及有关的掺杂矽材料和太阳能电池

摘要

为了提高太阳能电池的能量效率，将矽材料使用一种或者若干种不同的稀土元素进行掺杂，使其渗入层深度大致为600nm。因此通过对稀土元素未配对的4f-电子进行激发和重组，使得每一个其能量至少为矽元素频带缺口（1.2eV）两倍的光子，转化成两个或者更多的、其能量位于矽元素的频带缺口的光子。因此可以形成额外的、能量接近矽频带缺口的光子，其可用于构成电子空穴对。