发明名称 |
具有减少之漏电流之快闪记忆体程式化及验证 |
摘要 |
根据本发明之例示实施例所组构的快闪记忆体系统(300),使用虚拟接地阵列架构(302)。于程式化(programming)操作期间,目标记忆体单元(406)被正源极偏压电压予以偏压,以减少或去除可能流经该目标记忆体单位(406)之漏电流(leakage current)。于验证(verification)操作(程式化验证、软程式化验证(softprogram verify),抹除验证(erase verify))期间,亦可施加正源极偏压电压至目标记忆体单元(506),以减少或去除于该验证操作中可能导致错误之漏电流。 |
申请公布号 |
TW200805380 |
申请公布日期 |
2008.01.16 |
申请号 |
TW096111973 |
申请日期 |
2007.04.04 |
申请人 |
史班逊有限公司 |
发明人 |
美利克 玛堤洛施安 艾夏特;鲁尼 艾登;蓝道夫 马可;丁锰 |
分类号 |
G11C16/04(2006.01);G11C16/10(2006.01);G11C16/34(2006.01) |
主分类号 |
G11C16/04(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
洪武雄;陈昭诚 |
主权项 |
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地址 |
美国 |