发明名称 具有减少之漏电流之快闪记忆体程式化及验证
摘要 根据本发明之例示实施例所组构的快闪记忆体系统(300),使用虚拟接地阵列架构(302)。于程式化(programming)操作期间,目标记忆体单元(406)被正源极偏压电压予以偏压,以减少或去除可能流经该目标记忆体单位(406)之漏电流(leakage current)。于验证(verification)操作(程式化验证、软程式化验证(softprogram verify),抹除验证(erase verify))期间,亦可施加正源极偏压电压至目标记忆体单元(506),以减少或去除于该验证操作中可能导致错误之漏电流。
申请公布号 TW200805380 申请公布日期 2008.01.16
申请号 TW096111973 申请日期 2007.04.04
申请人 史班逊有限公司 发明人 美利克 玛堤洛施安 艾夏特;鲁尼 艾登;蓝道夫 马可;丁锰
分类号 G11C16/04(2006.01);G11C16/10(2006.01);G11C16/34(2006.01) 主分类号 G11C16/04(2006.01)
代理机构 代理人 洪武雄;陈昭诚
主权项
地址 美国