发明名称 用于故障回复之离子束控制方法
摘要 本发明有关一种电路及方法,用于快速地熄灭系形成于与离子植入系统之离子源相关联的高压提取及/或抑制电极之间的电弧,以便例如缩短电弧的期间及减轻不均匀的离子植入。该电路及方法亦助成其中在该处侦测出电弧之该等区域上之离子束的再制,以回复在该电弧之期间的任何剂量损失。高压高速切换电路系添加于各个高压供应器与其个别电极之间,以快速地熄灭系实质放电该供应的高压电容器及破坏慢回复的离子束电流之电弧。高压开关系由触发电路所控制,该触发电路针对各个电极而侦测电压或电流改变。用于高压开关的保护电路吸收来自电抗组件的能量及箝位任何过量电压,以保护该等高压开关。
申请公布号 TW200805420 申请公布日期 2008.01.16
申请号 TW096108749 申请日期 2007.03.14
申请人 艾克塞利斯科技公司 发明人 阙维国;黄永章;约翰 叶;大卫 陶;派克 史普林特
分类号 H01J37/302(2006.01);H01J37/317(2006.01) 主分类号 H01J37/302(2006.01)
代理机构 代理人 桂齐恒;阎启泰
主权项
地址 美国