| 摘要 |
以往，在将用以检测动作部的动作之感测部予以积体化在相同晶片的MOSFET中，系将感测部配置于晶片角落部，而有邻接于感测部之动作部的通道区域的设计规则未一致化，且VDSS耐压特性不稳定的问题。本发明系提供一种绝缘闸极型半导体装置，其将感测部配置于动作部的内部，俾使感测部的外周接被动作部所包围。藉此，影响VDSS耐压的动作部的通道区域外周端系成为矩形状，而能使四个角落部的设计规则一致。因此，在逆向电压施加时扩散于动作部的通道区域外周端角落部的空乏层亦大致均一化，而能获得稳定的VDSS耐压特性。 |
