场效电晶体,有机薄膜电晶体及有机电晶体之制造方法

摘要

本发明所欲解决之课题为：于有机TFT，提供分别判别改善了电子注入效率与电洞注入效率的电极与有机半导体的组合的方法，实现n型通道FET与p型通道FET之2种FET，进而提供相互补型TFT（CMOS）电晶体。供解决课题的手段：由电极与有机半导体的构成元素的物理常数以一般的手法导出电极金属－有机半导体界面之真空位准移位△。藉由电化学的手法改变电极金属，而制作可以控制电子注入与电洞注入的电极。藉由这些电极实现n通道型FET与p通道型FET之2种类的FET，进而提供相补型TFT（CTFT）电晶体。