发明名称 棒形半导体装置
摘要 一种具有受光或发光功能之棒形半导体装置,具备有:棒形之基材,由p型或n型之半导体结晶构成;另一导电层,形成在该基材之表层部中之与基材之轴心平行之带状部份以外之部份,而且其导电型与上述基材之导电型不同;pn接面,由上述基材和另一导电层形成;带状之第1电极,电阻性耦接在形成于上述基材之上述带状部份之表面之上述基材;和带状之第2电极,电阻性耦接在包夹上述基材之轴心之第1电极之相反侧之上述另一导电层。
申请公布号 TW200805684 申请公布日期 2008.01.16
申请号 TW095125834 申请日期 2006.07.14
申请人 京半导体股份有限公司 发明人 中田仗佑
分类号 H01L31/04(2006.01);H01L33/00(2006.01) 主分类号 H01L31/04(2006.01)
代理机构 代理人 赖经臣;宿希成
主权项
地址 日本