发明名称 |
低接触电阻CMOS电路以及用于该等电路之制造之方法LOW CONTACT RESISTANCE CMOS CIRCUITS AND METHODS FOR THEIR FABRICATION |
摘要 |
本发明提供了一种低接触电阻CMOS积体电路及其制造方法。该CMOS积体电路包含电性耦合到N型电路区之第一过渡金属、以及电性耦合到P型电路区之第二过渡金属,该第二过渡金属与该第一过渡金属不同。导电阻障层覆于该第一过渡金属及该第二过渡金属之每一过渡金属上,且栓塞金属覆于该导电阻障层上。 |
申请公布号 |
TW200805574 |
申请公布日期 |
2008.01.16 |
申请号 |
TW096118657 |
申请日期 |
2007.05.25 |
申请人 |
高级微装置公司 |
发明人 |
贝丝尔 |
分类号 |
H01L21/8238(2006.01);H01L21/768(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/8238(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
洪武雄;陈昭诚 |
主权项 |
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地址 |
美国 |