高电压双极互补金氧半导体-双扩散金氧半导体积体电路装置及形成其之模组式方法

摘要

本发明提供全低温制程，其用以在一不包括一磊晶层之基板中制造多种半导体装置。该等装置包括一非隔离横向双扩散金氧半导体、一非隔离延伸汲极或漂移MOS装置、一横向渠沟双扩散金氧半导体、一隔离横向双扩散金氧半导体、JFET与空乏模式装置以及P-N二极体箝位与整流器与接面端子。由于制程消除了对高温处理之需要且使用“植入式”掺杂分布，故其构成一模组式架构，该模组式架构允许对IC添加或省略装置而不必改变用以产生剩余装置之该等制程。