具有环绕闸极的奈米线电晶体

摘要

本发明之一态样系关于一种形成电晶体之方法。根据该方法之一具体实施例，在一晶态基板上形一非晶系半导体材料柱，且执行一固相磊晶制程使该非晶系半导体材料结晶，将该晶态基板作为可生长该晶体之晶种。该柱具有一次微影厚度。一电晶体本体形成于一第一源极／汲极区域与一第二源极／汲极区域之间的晶化半导体柱中。一环绕闸极绝缘体被形成于该半导体柱周围，一环绕闸极被形成于该半导体柱周围，且藉由该环绕闸极绝缘体与该半导体柱分隔。此外，还提供了其他态样。