| 发明名称 | 无电浆损伤的不着陆介层窗制程 | ||
| 摘要 | 一种具有不着陆介层窗的半导体元件及其制造方法，前述不着陆介层窗具有空隙介电层和富含矽氧化物（SRO）金属间介电（IMD）层。SRO层充当蚀刻停止层以防止不着陆介层窗完全穿过IMD层。另外，SRO具有比知高密度电浆（HDP）氧化层更高的消光系数（k），从而防止不着陆介层窗中的电浆蚀刻损伤和过多的空隙形成。 | ||
| 申请公布号 | TW200805488 | 申请公布日期 | 2008.01.16 |
| 申请号 | TW095124439 | 申请日期 | 2006.07.05 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 骆统;杨令武;陈光钊 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01);H01L21/205(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/31(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
| 主权项 | |||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 | ||