发明名称 用于使用圆圈型电晶体之自旋转移力矩磁性记忆体的高密度磁性记忆体单元
摘要 本发明描述一种用于提供及使用磁性储存单元与磁性记忆体的方法与系统。该方法与系统包含提供磁性元件及提供选择装置。该磁性元件可由在第一方向驱动通过该磁性元件的第一写入电流(first write current)编程为第一状态,以及可由在第二方向驱动通过该磁性元件的第二写入电流编程为第二状态。该选择装置系与该磁性元件连接。该选择装置包含其中有小孔(aperture)的闸极。该选择装置系经配置成以穿越该小孔之方式提供该第一写入电流与第二写入电流至该磁性元件。
申请公布号 TW200805370 申请公布日期 2008.01.16
申请号 TW096117527 申请日期 2007.05.17
申请人 弘世科技公司;瑞萨科技股份有限公司 RENESAS TECHNOLOGY CORP. 日本 发明人 罗逍;王连昌
分类号 G11C11/02(2006.01) 主分类号 G11C11/02(2006.01)
代理机构 代理人 洪武雄;陈昭诚
主权项
地址 美国