| 摘要 |
本发明提供一种非挥发记忆体晶胞及其制造方法。上述非挥发记忆体晶胞包括：一漂浮闸极，位于一半导体基底上方；一第一电容，其包括一第一电极板、该漂浮闸极和一介电质，该介电质位于该第一电极板和该漂浮闸极之间；一第二电容，其包括一第二电极板、该漂浮闸极和一介电质，该介电质位于该第一电极板和该漂浮闸极之间；一第三电容，其包括一第三电极板和一第四电极板，其中该第三电极板和该第四电极板分别形成于该半导体基底上之不同的金属层中；上述第一电容的上述第一电极板包括位于上述半导体基底中的一第一掺杂区和一第二掺杂区。上述非挥发记忆体晶胞更包括一电晶体，其包括一位于上述半导体基底上方的闸电极，其中电晶体的一源／汲极区系连接至上述电晶体之上述第一掺杂区。 |
