| 摘要 |
本发明之课题在于提供可削减雷射光之振荡模式数且可施行比单纯缩小电流狭窄层之径之情形更高输出化之面发光型半导体雷射。本发明之面发光型半导体雷射100系包含：下部镜10；活性层103，其系形成于下部镜之上方；及上部镜20，其系形成于活性层之上方；下部镜及上部镜系层叠复数之单位多层膜之多层膜镜；单位多层膜具有层叠于上下方向之1组之低折射率层与高折射率层；单位多层膜系满足下列式（1）且活性层系满足下列式（2）dD＜λ/2nD...（1） dA＞mλ/2nA...（2）其中，λ为面发光型半导体雷射之设计波长，m为正整数，dD为单位多层膜之厚度，nD为单位多层膜之平均折射率，dA为活性层之厚度，nA为活性层之平均折射率。 |
