| 摘要 |
〔课题〕本发明系针对作为形成在雷射晶片后端面之高反射率膜，在2种波长λ1、λ2的双方中都能够得到高反射率，并且可以得到具备反射率之波长依存特性小的半导体雷射装置。〔解决手段〕本发明系为利用2种波长λ1、λ2加以发光之半导体雷射装置，在雷射晶片的后端面，从雷射晶片侧开始依序形成由第1层至最终层之7层以上所构成的高反射率膜，高反射率膜系对于波长λ=（λ1+λ2）／2而言，至少包含1层光学膜厚为nλ／2（n为自然数）的层作为除了第1层及最终层以外之任意层，高反射率膜之任意层及除了最终层以外的层之光学膜厚为（2n+1）λ／4（n为包含0之正整数），高反射率膜之最终层的光学膜厚为nλ／4（n为自然数）。 |
