发明名称 | 半导体制造装置 | ||
摘要 | 本发明揭示一种技术:用于有效地抑制于ALD成膜装置中,因不可避免地附着于反应管内面之非所需之膜的剥离而产生的微粒。为防止非所需之膜的剥离,藉由ALD法,实施使金属氧化物膜,例如氧化铝膜沉积于上述非所需之膜上的预涂布处理。使将预涂布处理时作为预涂布用气体之臭氧供给至反应管内之喷嘴的种类及/或配置位置成为:与将对半导体基板上之成膜处理时作为成膜用气体的臭氧供给至反应管内之喷嘴不同者。 | ||
申请公布号 | TW200805459 | 申请公布日期 | 2008.01.16 |
申请号 | TW096117143 | 申请日期 | 2007.05.15 |
申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 角友一朗;小柳贤一;荒尾孝;宇根和德 |
分类号 | H01L21/205(2006.01) | 主分类号 | H01L21/205(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 陈长文 | |
主权项 | |||
地址 | 日本 |