电晶体、记忆胞元阵列及其制法

摘要

本发明公开了一种形成电晶体的方法，该方法包括：通过限定绝缘沟槽而限定主动区，该绝缘沟槽邻近该主动区；以及在限定该绝缘沟槽之后形成栅电极。该栅电极通过以下步骤形成：相对于填充该绝缘沟槽的绝缘材料在该主动区中选择性地蚀刻栅槽；在邻近沟道的部分处蚀刻填充该绝缘沟槽的绝缘材料，从而使该沟道的一部分未被覆盖，所述未被覆盖的部分具有带有顶侧和两横侧的脊形；在该顶侧和该横侧上设置栅极绝缘材料；以及在该栅极绝缘层上设置导电材料，从而使该栅电极沿该沟道的该顶侧和该两个横侧设置。