发明名称 | 隔离结构的制造方法 | ||
摘要 | 一种隔离结构的制造方法,此方法为提供基底,基底包括图案稀疏区与图案密集区,且基底上已形成有一层硬罩幕层,而硬罩幕层与基底中已形成有多个沟渠。之后,于基底上形成一层介电层,填满这些沟渠且覆盖住基底,介电层于图案稀疏区上形成有凹陷。接着,于基底上形成一层罩幕层,填满凹陷。以罩幕层为罩幕移除部分介电层后,移除罩幕层。继而以硬罩幕层为终止层,移除部分介电层,以形成多个隔离结构。 | ||
申请公布号 | TW200805559 | 申请公布日期 | 2008.01.16 |
申请号 | TW095125800 | 申请日期 | 2006.07.14 |
申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 何青原;萧国坤 |
分类号 | H01L21/76(2006.01) | 主分类号 | H01L21/76(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行一路12号 |