发明名称 隔离结构的制造方法
摘要 一种隔离结构的制造方法,此方法为提供基底,基底包括图案稀疏区与图案密集区,且基底上已形成有一层硬罩幕层,而硬罩幕层与基底中已形成有多个沟渠。之后,于基底上形成一层介电层,填满这些沟渠且覆盖住基底,介电层于图案稀疏区上形成有凹陷。接着,于基底上形成一层罩幕层,填满凹陷。以罩幕层为罩幕移除部分介电层后,移除罩幕层。继而以硬罩幕层为终止层,移除部分介电层,以形成多个隔离结构。
申请公布号 TW200805559 申请公布日期 2008.01.16
申请号 TW095125800 申请日期 2006.07.14
申请人 力晶半导体股份有限公司 发明人 何青原;萧国坤
分类号 H01L21/76(2006.01) 主分类号 H01L21/76(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行一路12号