| 发明名称 | 硅锗材料的一种生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了硅锗材料的一种生长方法。本发明所用设备为以硅烷(SiH<SUB>4</SUB>)为气源的RPCVD生长SiGe材料的设备，并以SiH<SUB>2</SUB>Cl<SUB>2</SUB>代替硅烷做气源，利用减压化学气相沉积法成功的生长出锗硅异质外延材料。其中生长所用的气氛包括H<SUB>2</SUB>、N<SUB>2</SUB>、SiH<SUB>2</SUB>Cl<SUB>2</SUB>、GeH<SUB>4</SUB>、PH<SUB>3</SUB>、B<SUB>2</SUB>H<SUB>6</SUB>，生长温度为700～900℃，工作压力为60－100Torr。本发明的方法在生产过程中所产生的废气由于不含有硅烷，废气直接通入水中用水解方法处理即可。因此用本发明的方法时，生产设备的废气处理器的构造就可以变得非常简单，处理废气的成本相对降低。 | ||
| 申请公布号 | CN101106079A | 申请公布日期 | 2008.01.16 |
| 申请号 | CN200710061761.8 | 申请日期 | 2007.04.26 |
| 申请人 | 河北普兴电子科技股份有限公司 | 发明人 | 赵丽霞;袁肇耿;陈秉克 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01);C30B25/02(2006.01) | 主分类号 | H01L21/205(2006.01) |
| 代理机构 | 石家庄国为知识产权事务所 | 代理人 | 张明月 |
| 主权项 | 1.硅锗材料的一种生长方法，它是用减压化学气相沉积生长法，其中生长所用的气氛包括H2、N2、GeH4、PH3、B2H6，生长温度为500～1200℃，工作压力为10-100Torr；其特征在于：生长硅组分的气氛是用SiH2Cl2。 | ||
| 地址 | 050200河北省石家庄市鹿泉经济开发区昌盛大街21号 | ||