| 发明名称 | 半导体器件与硅衬底的剥离方法 | ||
| 摘要 | 一种将生长在硅衬底上的半导体器件结构层从硅衬底上分离的方法。通过在具有腐蚀阻挡层的硅衬底上生长AlN中间层，并通过AlN中间层生长半导体结构层。硅衬底分层多次减薄初期，采用物理研磨法或者化学物理研磨法将硅衬底减薄到一定的厚度后，再用化学腐蚀法腐蚀硅衬底。可以利用化学腐蚀法均匀地腐蚀剩余的硅衬底以及中间层。或者，用光刻腐蚀法在腐蚀阻挡层的表面上腐蚀深度达中间层的多个微孔，然后采用对中间层有选择腐蚀性的化学剂来腐蚀中间层，从而将半导体器件结构层从硅衬底上分离。 | ||
| 申请公布号 | CN101106067A | 申请公布日期 | 2008.01.16 |
| 申请号 | CN200610028797.1 | 申请日期 | 2006.07.11 |
| 申请人 | 上海宇体光电有限公司 | 发明人 | 周家华 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/302(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L21/762(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 刘佳 |
| 主权项 | 1.一种将半导体器件结构层从硅衬底上分离的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：形成具有的埋层的硅衬底，其中埋层的腐蚀速率与硅不同；在硅衬底上生长中间层；通过中间层生长半导体器件结构层；分层多次减薄硅衬底使得半导体器件与硅衬底剥离。 | ||
| 地址 | 200032上海市肇嘉浜路789号17楼D座 | ||