| 发明名称 | 焊料凸块的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种焊料凸块的制造方法，包括：提供一具有顶层金属的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成钝化层；在所述钝化层上形成底部露出顶层金属的连接孔；在所述钝化层上及连接孔中形成第一金属层；在所述第一金属层上形成阻挡层；在所述阻挡层上旋涂光致抗蚀剂并形成与连接孔相对应的开口；在所述开口中形成第二金属层；去除所述光致抗蚀剂；刻蚀所述第一金属层至露出覆盖层；本发明方法工艺简单节省成本。 | ||
| 申请公布号 | CN101106095A | 申请公布日期 | 2008.01.16 |
| 申请号 | CN200610028781.0 | 申请日期 | 2006.07.10 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 杨勇胜;肖德元;邢溯 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L21/60(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种焊料凸块的制造方法，其特征在于包括：提供一具有顶层金属的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成钝化层；在所述钝化层上形成底部露出顶层金属的连接孔；在所述钝化层上及连接孔中形成第一金属层；在所述第一金属层上形成阻挡层；在所述阻挡层上旋涂光致抗蚀剂并形成与连接孔相对应的开口；在所述开口中形成第二金属层；去除所述光致抗蚀剂；刻蚀所述阻挡层、第一金属层至露出覆盖层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||