| 发明名称 | 场效应晶体管、有机薄膜晶体管及有机晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是提供在有机TFT中，对电子注入效率和空穴注入效率得以改善的电极和有机半导体组合分别进行判别的方法，实现n型沟道FET和p型沟道FET两种FET，进而提供互补型TFT(CTFT)晶体管。为此，推导出通常从电极和有机半导体构成元素的物理常数推导出电极金属－有机半导体界面中真空能级位移Δ的方法。通过电化学手段使电极金属变化，制成可以控制电子注入和空穴注入的电极。通过这些电极来实现n型沟道FET和p型沟道FET两种FET，进而，提供了互补型TFT(CTFT)晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN101106153A | 申请公布日期 | 2008.01.16 |
| 申请号 | CN200710084820.3 | 申请日期 | 2007.02.27 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 桥诘富博;藤森正成;诹访雄二;新井唯 |
| 分类号 | H01L27/28(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L51/05(2006.01);H01L51/30(2006.01);H01L51/40(2006.01) | 主分类号 | H01L27/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人 | 钟晶 |
| 主权项 | 1.场效应晶体管，其特征为，具有多个源极、至少1个漏极和有机半导体薄膜，所述任意电极的至少一个具有可以被氧化或还原的性质。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||