| 发明名称 | 改善低k叠层之间粘附性的界面工程 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种在不存在等离子体电弧放电的条件下沉积有机硅电介质层的方法，所述有机硅电介质层对设置在单个处理室中的下方衬底具有高粘附强度。该方法包括：将衬底定位在具有通电电极的处理室中；将界面气体混合物流入所述处理室，所述界面气体混合物包含一种或更多种有机硅化合物和一种或更多种氧化气体；通过改变工艺参数，将氧化硅层沉积在所述衬底上，其中所述通电电极的DC偏压的变化小于60伏特。 | ||
| 申请公布号 | CN101107383A | 申请公布日期 | 2008.01.16 |
| 申请号 | CN200680002599.6 | 申请日期 | 2006.01.19 |
| 申请人 | 应用材料公司 | 发明人 | 迪奈什·帕德海;干纳施·巴拉苏布拉马尼恩;安纳马莱·拉克师马纳;崔振江;均·卡洛斯·若彻－阿勒圭瑞;金博宏;海澈姆·穆萨德;史蒂文·雷特尔;福兰斯马尔·斯楚弥特 |
| 分类号 | C23C16/40(2006.01);C23C16/02(2006.01) | 主分类号 | C23C16/40(2006.01) |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 赵飞 |
| 主权项 | 1.一种沉积有机硅酸盐电介质层的方法，包括：将衬底定位在具有通电电极的处理室中；将界面气体混合物流入所述处理室，所述界面气体混合物包含一种或更多种有机硅化合物和一种或更多种氧化气体；通过对所述通电电极施加高频射频功率，将氧化硅层沉积在所述衬底上，所述氧化硅层的碳浓度小于3原子％；在将过渡层沉积在所述氧化硅层上的同时，递增所述一种或更多种有机硅化合物的流率，直至得到最终气体混合物，其中所述通电电极的DC偏压的变化小于60伏特；流入所述最终气体混合物，以在所述过渡层上沉积掺杂碳的氧化硅层，所述掺杂碳的氧化硅层的碳浓度为至少10原子％；以及终止所述高频射频功率。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||