| 发明名称 | 一种SiC纳米线及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种SiC纳米线及其制备方法，它涉及纳米线及制备方法。它解决了现有SiC纳米线制备工艺复杂、不易控制、成本高、污染环境的问题。本发明的SiC纳米线采用工业硅粉和石墨粉，按质量百分比工业硅粉为50％～75％、石墨粉为25％～50％混合后经气氛烧结而成。本发明的制备方法为：一、取工业硅粉和石墨粉均匀混合后装入石墨坩埚内；二、将石墨坩埚放入气氛烧结炉中，抽真空；三、再向气氛烧结炉内充入氩气；四、然后在气氛烧结炉内烧结，随炉冷却至室温，即制得SiC纤维。本发明中选用以工业硅粉和石墨为原料降低成本，工艺简便、易于操作，反应过程中对环境无污染；产物为单晶相β－SiC纤维，粗细均匀，直径主要分布在30～150纳米，长度可控，最长可以达到毫米数量级。 | ||
| 申请公布号 | CN101104515A | 申请公布日期 | 2008.01.16 |
| 申请号 | CN200710072703.5 | 申请日期 | 2007.08.24 |
| 申请人 | 哈尔滨工业大学 | 发明人 | 温广武;张晓东;黄小萧;钟博;张旭 |
| 分类号 | C01B31/36(2006.01);B82B3/00(2006.01) | 主分类号 | C01B31/36(2006.01) |
| 代理机构 | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人 | 吴国清 |
| 主权项 | 1.制备SiC纳米线的原料选用工业硅粉和石墨粉，其特征在于按质量百分比工业硅粉为50％～75％、石墨粉为25％～50％均匀混合后，经气氛烧结而成。 | ||
| 地址 | 150001黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 | ||