单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法

摘要

一种单晶氮化镓基板的生长方法，在衬底基板上有规律地设种子图案，在其长形成凹凸面构成的坑并加以维持，同时让GaN凹凸生长而接着坑底部形成封闭缺陷集合区H，将变位集结于此，实现封闭缺陷集合区H周围的单晶低变位伴随区Z与单晶低变位剩余区Y的低变位化。由于封闭缺陷集合区H是封闭的，所以变位被封闭不会再释放。

主权项

1.一种单晶氮化镓基板，其特征在于在氮化镓基板表面具有：封闭缺陷集合区H——是贯通基板表面而延伸、内部含有多个缺陷集合而成的芯S、被晶粒界面K所区分开的封闭区域，和单晶低变位伴随区Z——伴随于封闭缺陷集合区H而在其周围形成的区域，以及单晶低变位剩余区Y——存在于单晶低变位伴随区Z的外部、具有同一晶体取向的区域。