一种制造半导体元件的方法

摘要

本发明提供在半导体衬底表面上利用浅沟槽绝缘(shallow trenchisolation，STI)结构来凸伸一阶梯高度，以使彼此绝缘的制造方法。而此方法包含在半导体衬底及结构的表面上形成牺牲层(sacrificial layer)；接着回蚀位于至少一个结构上的一部分牺牲层，再部分回蚀此至少一个结构，以降低在半导体衬底表面上的结构所凸伸的阶梯高度，并移除相邻结构间的残余牺牲层。此方法可用于制造包括已增进可靠度的存储器单元的半导体元件。

主权项

1.一种制造半导体的方法，其特征是至少包含下列步骤：提供具有表面的半导体衬底，其中该半导体衬底包含多个浅沟槽绝缘结构凸伸于该表面一阶梯高度；形成牺牲层于该衬底及上述这些浅沟槽绝缘结构上；回蚀该牺牲层以暴露至少一个上述这些浅沟槽绝缘结构；以及回蚀上述这些浅沟槽绝缘结构，以降低这些浅沟槽绝缘结构凸伸于该半导体衬底表面上的该阶梯高度。