发明名称 对微电子电路的计量表征
摘要 本发明涉及一种平面对象的偏振测量方法和装置,该平面对象具有规则重复的图形并形成栅格线。基于本发明的方法,在入射角θ<SUB>1</SUB>以及第一方位角φ<SUB>1</SUB>下在零阶进行第一测量,在入射角θ<SUB>2</SUB>以及第二方位角φ<SUB>2</SUB>下在零阶进行第二测量,对入射光束的偏振态进行调制,并且对每次测量分析反射光束的偏振态,对真实对象的模型对象计算理论偏振测量数据,该模型对象包括利用电磁学理论可调节的参数。通过对于可调节参数的不同值将测量值与理论偏振测量数据反复进行比较来表征对象。
申请公布号 CN101107495A 申请公布日期 2008.01.16
申请号 CN200580047167.2 申请日期 2005.12.22
申请人 综合工科学校;科学研究国家中心 发明人 A·德马蒂诺;B·德雷维翁
分类号 G01B11/06(2006.01);G01J4/00(2006.01);G01N21/21(2006.01) 主分类号 G01B11/06(2006.01)
代理机构 北京市中咨律师事务所 代理人 杨晓光;于静
主权项 1.一种平面对象的偏振测量方法,该平面对象具有规则重复的图形并且形成栅格线,该方法包括在形成测量光束的所述对象上产生激励入射光束,其相对于该对象的取向用入射角θ和方位角φ表示,其特征在于在入射角θ1以及第一方位角φ1下,在零阶进行第一测量,在入射角θ2以及第二方位角φ2下,在零阶进行至少第二测量,对入射光束的偏振态进行调制,并且对每次测量分析反射光束的偏振态,以便获得实验偏振测量数据,对真实对象的模型对象计算理论偏振测量数据,所述模型对象包括利用电磁学理论可调节的参数,通过对于可调节参数的不同值,将所述测量值与理论偏振测量数据进行反复比较,来表征所述对象。
地址 法国帕莱索塞德科斯