发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 本发明提供半导体装置和半导体装置的制造方法。本发明的课题是防止来自外部的应力导致构成要素的破损。半导体装置包括:半导体芯片(30),其在第1主表面(30a)上具有设置成使电极焊盘(32)的一部分露出的层间绝缘膜(34);再布线层(40),其包含布线图案(42),该布线图案(42)具有一端与电极焊盘电连接的线状部(42a)和与该线状部的另一端连接的大致凹多边形的柱状电极装载部(42b);多个柱状电极,其设置在布线图案的柱状电极装载部上,其底面具有与柱状电极装载部的上表面轮廓在至少2点相交的轮廓;使多个柱状电极的顶面(46a)露出的密封部(44);和装载在柱状电极的顶面上的多个外部端子(48)。
申请公布号 CN101106116A 申请公布日期 2008.01.16
申请号 CN200710128182.0 申请日期 2007.07.10
申请人 冲电气工业株式会社 发明人 渡边洁敬
分类号 H01L23/485(2006.01);H01L23/31(2006.01);H01L21/50(2006.01);H01L21/60(2006.01) 主分类号 H01L23/485(2006.01)
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 代理人 黄纶伟
主权项 1.一种半导体装置,其特征在于,该半导体装置包括:半导体芯片,其具有露出多个电极焊盘的第1主表面,和在该第1主表面上设置成使上述电极焊盘的一部分露出的层间绝缘膜;再布线层,其包含多个布线图案,多个上述布线图案具有一端与上述电极焊盘电连接并从上述电极焊盘导出的线状部,和与该线状部的另一端连接的大致凹多边形的柱形电极装载部;多个柱形电极,其设置在上述布线图案的上述柱形电极装载部上,且其底面具有与该柱形电极装载部的上表面轮廓在至少2点相交的轮廓;密封部,其使多个上述柱形电极的顶面露出;以及多个外部端子,其装载在上述柱形电极的顶面上。
地址 日本东京