| 发明名称 | 绝缘体上半导体(SOI)结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种绝缘体上半导体结构包括位于基底半导体衬底与表面半导体层之间的掩埋介电层。所述掩埋介电层包括其中包括氮梯度的氧化物材料，所述氮梯度的峰值在所述掩埋介电层的与所述基底半导体衬底和所述表面半导体层中的至少一者的界面处。所述掩埋介电层的与所述基底半导体衬底和所述表面半导体层中的所述至少一者的界面是突变的，在小于约5个原子层厚度中提供过渡，并具有小于约10埃PMS的界面粗糙度。包括无氮的氧化物介电材料的第二介电层可以位于所述掩埋介电层和所述表面半导体层之间。 | ||
| 申请公布号 | CN101106141A | 申请公布日期 | 2008.01.16 |
| 申请号 | CN200710128129.0 | 申请日期 | 2007.07.06 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | A·I·舒;J·W·斯雷特;W·亨施;古川俊治;任志斌;D·V·辛格 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L21/762(2006.01);H01L21/31(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;李峥 |
| 主权项 | 1.一种绝缘体上半导体结构，包括：位于基底半导体衬底与表面半导体层之间的掩埋介电层，所述掩埋介电层包括其中包括氮梯度的氧化物材料，所述氮梯度在所述掩埋介电层的与所述基底半导体衬底和所述表面半导体层中的至少一者的界面处增大，所述掩埋介电层包括与所述基底半导体衬底和所述表面半导体层中的所述至少一者的突变界面，所述突变界面在小于约五个原子层中过渡到所述基底半导体衬底和所述表面半导体层中的所述至少一者。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||