| 发明名称 | 用于减小重置相变存储器件的存储单元中的部分相变材料用的重置电流的方法及相变存储器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于减小重置相变存储器件的存储单元中的部分相变材料用的重置电流的方法及相变存储器件。根据一个实施例，包括第一晶相的至少部分相变材料被转变为晶相和非晶相之一。与第一晶相相比，第二晶相更容易转变为非晶相。例如，第一晶相可以是六边形闭合密集结构，以及第一晶相可以是面心立方结构。 | ||
| 申请公布号 | CN101106174A | 申请公布日期 | 2008.01.16 |
| 申请号 | CN200710104174.2 | 申请日期 | 2007.05.21 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 郑椙旭;孔晙赫;李智惠;赵栢衡 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01);H01L27/24(2006.01);G11C11/56(2006.01) | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 林宇清;谢丽娜 |
| 主权项 | 1.一种用于减小重置电流的方法，该重置电流重置相变存储器件的存储单元中的部分相变材料，该方法包括：将包括第一晶相的至少部分相变材料转变为第二晶相和非晶相之一，与第一晶相相比，第二晶相更容易转变为非晶相。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地 | ||