| 发明名称 | 包括可变电阻材料的非易失存储器 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种包括可变电阻材料的非易失存储器，其包括：下电极；中间层，由选自HfO、ZnO、InZnO和ITO中的一种材料形成；可变电阻材料层，形成在中间层上；以及上电极，形成在可变电阻材料层上。可以容易地提供具有根据尺寸的多级双极性开关性质的存储器。 | ||
| 申请公布号 | CN101106171A | 申请公布日期 | 2008.01.16 |
| 申请号 | CN200610164041.X | 申请日期 | 2006.12.06 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 安承彦;李明宰;金东彻 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01);H01L27/24(2006.01);H01L27/10(2006.01);H01L27/115(2006.01);G11C13/00(2006.01);G11C11/56(2006.01);G11C16/02(2006.01) | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种包括可变电阻材料的非易失存储器，包括：下电极；中间层，由选自HfO、ZnO、InZnO和ITO中的一种材料形成；可变电阻材料层，形成在所述中间层上；以及上电极，形成在所述可变电阻材料层上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||