基于二极管单元选通的相变存储器及其制造方法

摘要

本发明属微电子技术领域，具体为一种基于二极管单元选通的相变存储器及其制造方法。相变存储器件中包括：具有半导体薄膜特性的字线、一个或多个金属电极、具有半导体薄膜特性的相变材料、具有半导体薄膜特性的位线。以所述字线或位线与相变薄膜材料形成的异质结二极管，或所述字线或位线与金属电极形成的肖特基二极管，作为1D/1R结构存储器的选通功能单元。本发明的相变存储器结构管理、制造方法简单，并不依赖与衬底硅层，可实现多层相变存储器阵列堆叠，从而大大提高其存储密度。

主权项

1.一种相变存储器件，其特征在于包括：具有半导体薄膜特性的字线，一个或多个金属电极，具有半导体薄膜特性的相变材料，具有半导体薄膜特性的位线；所述字线与字线之间在同平面内相互平行，所述位线与位线之间在同平面内相互平行，所述字线与所述位线在空间异面相互垂直，形成一交叉点；所述金属电极以及所述相变材料堆叠于异面垂直的字线与位线交叉点之间，并连接字线与位线；由具有半导体薄膜特性的字线或位线与相变材料接触形成形成异质结二极管，或具有半导体薄膜特性的字线或位线与金属电极接触形成肖特基二极管，作为1D/1R的相变存储单元结构中的选通管功能单元。