| 发明名称 | 形成导电凸块的方法及其结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种形成导电凸块的方法及其结构。该形成导电凸块的方法包括：首先提供一晶圆，晶圆具有复数个焊垫。接着，在焊垫上形成一凸块下金属层。然后，在晶圆上涂布具有导电性的一第一光阻层，第一光阻层覆盖凸块下金属层。接着，在第一光阻层上涂布一第二光阻层。然后，至少去除部分的第二光阻层以形成一开口，开口位于凸块下金属层的上方。其中，第一光阻层与凸块下金属层保持电性连接。接着，利用电镀法在开口中形成一焊锡层。然后，去除焊锡层所在区域以外的第一光阻层及第二光阻层。 | ||
| 申请公布号 | CN101106096A | 申请公布日期 | 2008.01.16 |
| 申请号 | CN200610090296.6 | 申请日期 | 2006.07.11 |
| 申请人 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 发明人 | 谢爵安;戴豊成;吴世英;陈世光 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L23/485(2006.01) | 主分类号 | H01L21/60(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 梁挥;徐金国 |
| 主权项 | 1.一种在晶圆(Wafer)上形成导电凸块(Bump)的方法，其特征在于，该形成方法包括以下步骤：提供一晶圆，该晶圆具有复数个焊垫；在该焊垫上形成一凸块下金属层(Under-bump metallurgy layer，UBMlayer)；在该晶圆上涂布具有导电性的一第一光阻层，该第一光阻层覆盖该凸块下金属层；在该第一光阻层上涂布一第二光阻层；至少去除部分的该第二光阻层，以在该凸块下金属层的上方形成一开口，并且该第一光阻层与该凸块下金属层保持电性连接；利用电镀法在该开口中形成一焊锡层；以及去除该焊锡层所在区域以外的该第一光阻层及该第二光阻层。 | ||
| 地址 | 中国台湾高雄市 | ||