发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 本发明提供一种半导体装置及其制造方法,其目的在于,当将多个半导体芯片立体地配置时,与现有方法相比可以抑制厚度,减少专用面积,并且不使用其他零件即可实现低成本的安装,且能够实现所述半导体装置的制造工序的简化。经由凸块电极(102)将通过背面研磨而被薄型化的第1半导体芯片(101)及衬底(105)直接与布线图案(106)连接,从而形成倒装芯片安装构造。并且,在第2半导体芯片(103)上,预先形成例如比第1半导体芯片(101)的厚度与电极(102)的高度之和还高的电极(104),将该电极(104)与衬底(105)上的布线图案(106)直接连接,以此获得构造最紧凑的立体半导体安装装置。
申请公布号 CN101107710A 申请公布日期 2008.01.16
申请号 CN200680003158.8 申请日期 2006.01.25
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 川端理仁;冨士原义人
分类号 H01L25/065(2006.01);H01L25/07(2006.01);H01L25/18(2006.01) 主分类号 H01L25/065(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 肖鹂
主权项 1.半导体装置,其特征在于,包括:在主面上形成有规定的布线图案的衬底;第1半导体芯片,其具备用于与所述衬底的所述布线图案连接的第1电极,通过将所述第1电极直接连接至所述布线图案的相应部位而进行倒装芯片安装;第2半导体芯片,其纵横长度均大于所述第1半导体芯片且具备用于与所述布线图案连接的第2电极,通过将所述第2电极直接连接至所述布线图案的相应部位而进行倒装芯片安装,并且,所述第2电极的厚度以及与所述第2电极连接的所述布线图案的相应部位的厚度总和超过所述第1半导体芯片的厚度、所述第1电极的厚度以及与所述第1电极连接的所述规定部位的布线图案的厚度总和,所述第2半导体芯片位于所述第1半导体芯片之上。
地址 日本大阪府