发明名称 真空反应室的射频匹配耦合网络及其配置方法
摘要 一种真空反应室的射频匹配耦合网络包括:具有第1至第n个射频源,每一个射频源分别具有不同的频率,其中第1至第n个射频输入端口的频率依次递减,第i频率射频输入端口至输出端口之间构成第i电路,该第i电路在输出端口对除第i频率以外的所有射频源频率具有高阻抗;当第i电路与第i频率射频源连接后,从输出端口往第i电路方向观察测量,其具有在该第i频率下的一第一阻抗值,以及从输出端口往与前述第i电路方向相反的方向观察测量,其具有在该第i频率下的一第二阻抗值,该第一阻抗值和第二阻抗值大致共轭匹配。本发明重量轻、损耗小,从而节省了制造和使用成本。
申请公布号 CN100362619C 申请公布日期 2008.01.16
申请号 CN200510028564.7 申请日期 2005.08.05
申请人 中微半导体设备(上海)有限公司 发明人 夏耀民
分类号 H01L21/00(2006.01);H03H7/38(2006.01) 主分类号 H01L21/00(2006.01)
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 逯长明
主权项 1.一种真空反应室的射频匹配耦合网络包括:第1至第n个射频输入端口分别与第1至第n个射频源连接,每一个射频源分别具有不同的频率,以及一个将前述多个射频源能量输出到真空反应室的输出端口,其中第1至第n个射频输入端口的频率依次递减,其特征在于:第i频率射频输入端口至输出端口之间构成第i电路,该第i电路在输出端口对除第i频率以外的所有射频源频率具有高阻抗,i为大于或等于2且小于或等于n的某一个自然数;当第i电路与第i频率射频源连接后,从输出端口往第i电路方向观察测量,其具有在该第i频率下的一第一阻抗值,以及从输出端口往与前述第i电路方向相反的方向观察测量,其具有在该第i频率下的一第二阻抗值,该第一阻抗值和第二阻抗值大致共轭匹配。
地址 201201上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号