| 发明名称 | 一种有效降低高压LDNMOS截止电流并避免双峰特性的IMP方法及其应用 | ||
| 摘要 | 一种有效降低高压LDNMOS晶体管的截止电流并避免双峰特性的离子注入方法及其应用，在常规的包含光刻和注入工艺外，还将场区离子注入的范围扩散到LDNMOS器件的沟道区内，使场区的扩展到高压LDNMOS器件的沟道区内达到降低晶体管的截止电流并且避免双峰特性的效果。 | ||
| 申请公布号 | CN101106090A | 申请公布日期 | 2008.01.16 |
| 申请号 | CN200610028923.3 | 申请日期 | 2006.07.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 崔崟;郭兵;金起凖;程超;梅奎 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/266(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 李勇 |
| 主权项 | 1.一种有效降低高压LDNMOS晶体管的截止电流并避免双峰特性的离子注入方法，包含光刻和注入工艺，其特征是在高压LDNMOS的制造中，将场区离子注入的范围扩散到LDNMOS器件的沟道区内。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||