| 发明名称 | 可去除刻蚀后残留聚合物的半导体器件制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种可去除刻蚀后残留聚合物的半导体器件制造方法，通过在刻蚀后进行热处理对残留的难溶聚合物进行收缩、软化及燃烧，实现刻蚀后残留聚合物的完全去除。本发明实现方便，无需增加额外的工艺步骤，仅依靠对工艺顺序进行调整即可实现，对生产周期没有影响，在保持低成本、高效率的同时，提高了产品的成品率。 | ||
| 申请公布号 | CN101106066A | 申请公布日期 | 2008.01.16 |
| 申请号 | CN200610028782.5 | 申请日期 | 2006.07.10 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 仇圣棻;施平 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种可去除刻蚀后残留聚合物的半导体器件制造方法，其特征在于，包括：在衬底上形成至少一层材料层；对所述材料层进行刻蚀；对衬底进行热处理。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||