发明名称 | 有序多孔氧化铝薄膜的制备方法 | ||
摘要 | 一种材料技术领域的制备方法,具体的是一种有序多孔氧化铝薄膜的制备方法。首先,铝片进行电解抛光;其次,在低电压下预氧化一段时间;随后,缓慢升高氧化电压达到预定的高电压再继续氧化一段时间;最后,为了便于观察氧化膜底部的有序结构,用溶液选择性腐蚀去除铝基体。通过低压下预氧化,以及向草酸电解液中加入乙醇的方法拓宽了操作条件,实现了高电压下稳定氧化而不发生击穿。在较短的氧化时间内得到高度有序的多孔氧化铝薄膜,且孔间距在300nm至360nm范围内精确可控。这种简单高效的制备方法可以大大推动多孔氧化铝模板在工业及纳米材料制备领域的应用。 | ||
申请公布号 | CN101104944A | 申请公布日期 | 2008.01.16 |
申请号 | CN200710039634.8 | 申请日期 | 2007.04.19 |
申请人 | 上海交通大学 | 发明人 | 李东栋;姜传海;李萍;任鑫 |
分类号 | C25D11/04(2006.01) | 主分类号 | C25D11/04(2006.01) |
代理机构 | 上海交达专利事务所 | 代理人 | 王锡麟;张宗明 |
主权项 | 1.一种有序多孔氧化铝薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:首先,铝片进行电解抛光;其次,在低电压下预氧化一段时间;随后,缓慢升高氧化电压达到预定的高电压再继续氧化一段时间;最后,用溶液选择性的腐蚀去除铝基体。 | ||
地址 | 200240上海市闵行区东川路800号 |