| 发明名称 | 一种在孔洞结构中制作单个纳米材料的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及纳米材料的制备领域，公开了一种在孔洞结构中制作单个纳米材料的方法。首先在基底上刻蚀出微小的孔洞，然后将金属或者氧化物薄膜定位沉积在孔洞的底部，在高温退火下形成所需要的单个纳米颗粒，或者在金属或氧化物薄膜的作用(例如催化作用)下采用气相法或液相法生长出单根的一维纳米材料。本方法具有工艺简单、位置可控等优点，通过控制孔洞的位置，可以实现单根纳米材料的定位生长。本发明可大面积阵列式制备，效率高。 | ||
| 申请公布号 | CN101104509A | 申请公布日期 | 2008.01.16 |
| 申请号 | CN200710029783.6 | 申请日期 | 2007.08.20 |
| 申请人 | 中山大学 | 发明人 | 许宁生;佘峻聪;刘俊;邓少芝;陈军 |
| 分类号 | B82B3/00(2006.01) | 主分类号 | B82B3/00(2006.01) |
| 代理机构 | 广州新诺专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 华辉 |
| 主权项 | 1.一种在孔洞结构中制作单个纳米材料的方法，其特征在于以下顺序步骤：(a)在基底上刻蚀出孔洞结构；(b)在基底的孔洞底部定位沉积金属或氧化物薄膜；(c)采用纳米材料生长技术，在孔洞结构中制作单个的纳米材料。 | ||
| 地址 | 510275广东省广州市新港西路135号 | ||