电子回旋共振等离子体化学汽相淀积氮化硅薄膜的方法

摘要

本发明公开一种用于集成电路钝化层的氮化硅薄膜的低温制造方法，该氮化硅薄膜生长在位于淀积室中的衬底上。其过程包括：将衬底清洗后放在工艺室中；对工艺室抽真空并设定工艺条件；将硅源气体与氮化源气体先混合后通入工艺室，利用电子回旋共振效应吸收的微波源能量对混合后的硅源气体和氮化源气体进行电离分解，并将电离分解后所产生的活性带电粒子通过永磁磁场的作用输运到衬底表面，在衬底上淀积氮化硅薄膜，该工艺条件是：工艺室的压力为0.1Pa～5Pa；微波功率为600W～2000W；淀积温度为室温～300℃范围；气体总流量为50～300sccm；硅源气体和氮化源气体的流量比为1∶6～1∶12；衬底旋转速率为60转/分钟。本发明可在300℃以下低温下高速均匀淀积6英寸的的低氢含量的氮化硅薄膜，作为集成电路钝化层或光学器件材料。

主权项

1.一种电子回旋共振等离子体化学汽相淀积氮化硅薄膜的方法，包括如下过程：将衬底清洗后放在工艺室中；对工艺室抽真空；设定工艺条件，即工艺室的压力：保持在0.1Pa～5Pa；微波功率：控制在600W～2000W；淀积温度：控制在室温～300℃范围；气体总流量：50～300sccm；硅源气体和氮化源气体的流量比：1∶6～1∶12；旋转速率保持为60转/分钟。将硅源气体与氮化源气体相混合后通入工艺室；开启微波源，利用电子回旋共振效应吸收的微波源能量对混合后的硅源气体和氮化源气体进行电离分解，并将电离分解后所产生的活性带电粒子通过永磁磁场的作用输运到衬底表面，在衬底上淀积氮化硅薄膜。