固体成像器件及其制造方法

摘要

本发明的固体成像器件具有在包含硼的P⁺衬底上顺序地堆积了包含硼的P^－外延层和包含磷的N外延层的N/P^－/P⁺衬底，在N外延层的表层部分上形成光电变换部的N型区域。进而，从衬底表面连续到P^－外延层地形成由P型半导体区域构成的壁垒层使得在平面上围住光电变换部的N区域，在用于分割为各个器件的芯片切断部上，也从衬底表面连续到P^－外延层地形成P型半导体区域。

主权项

1.一种固体成像器件，其特征在于包括：半导体衬底，包含P型杂质；P外延层，形成在上述半导体衬底上，包含浓度比上述半导体衬底低的P型杂质；N外延层，包含形成在上述P外延层上的N型杂质；多个光电变换部，由相互独立地设置在上述N外延层的表层部分上的N型区域构成；第一P型半导体层，成为形成在上述N外延层内使得在平面上围住上述多个光电变换部的各个的多个元件分离区域，各元件分离区域形成为从上述N外延层的表层部分到达上述P外延层，将上述多个光电变换部的各个相互分离。