| 发明名称 | 互补金属氧化物半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种互补金属氧化物半导体器件，包括：半导体衬底；所述半导体衬底上的第一区域、第二区域；所述第一区域和第二区域之间的隔离区；贯穿所述第一区域、隔离区和第二区域的栅区；在所述栅区两侧的第一区域、第二区域中分别形成的源区和漏区。该互补金属氧化物半导体器件结构及形状能够提高晶片面积利用率。 | ||
| 申请公布号 | CN101106132A | 申请公布日期 | 2008.01.16 |
| 申请号 | CN200610028768.5 | 申请日期 | 2006.07.10 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 肖德元 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01) | 主分类号 | H01L27/092(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种互补金属氧化物半导体器件，其特征在于包括：半导体衬底；所述半导体衬底上的第一区域、第二区域；所述第一区域和第二区域之间的隔离区；在所述半导体衬底上贯穿所述第一区域、隔离区和第二区域的栅区；在所述栅区两侧的第一区域、第二区域中分别形成的源区和漏区。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||