包括虚拟字线的非易失性存储器件及相关结构和方法

摘要

一种非易失性存储器件可以包括：半导体衬底，该半导体衬底包括在其表面的有源区；在该有源区上的第一存储单元串；以及在该有源区上的第二存储单元串。该第一存储单元串可以包括与在该第一接地选择线和第一串选择线之间的有源区相交叉的第一多个字线，以及在该第一多个字线的相邻字线之间可以提供几乎相同的第一间隔。该第二存储单元串可以包括与在该第二接地选择线和第二串选择线之间的有源区相交叉的第二多个字线，以及在该第二多个字线的相邻字线之间可以提供几乎相同的第一间隔。而且，该第一接地选择线可以在该第二接地选择线和该第一多个字线之间，以及该第二接地选择线可以在第一接地选择线和该第二多个字线之间。而且，在该第一和第二接地选择线之间的部分有源区可以没有字线，以及在该第一和第二接地选择线之间的第二间隔可以大于第一间隔至少约3倍。还论述了相关方法。

主权项

1.一种非易失性存储器件，包括：半导体衬底，该半导体衬底包括在其表面的有源区；在该有源区上的第一存储单元串，其中该第一存储单元串包括与在第一接地选择线和第一串选择线之间的有源区相交叉的第一多个字线，其中在该第一多个字线的相邻字线之间提供几乎相同的第一间隔；以及在该有源区上的第二存储单元串，其中该第二存储单元串包括与在第二接地选择线和第二串选择线之间的有源区相交叉的第二多个字线，其中在该第二多个字线的相邻字线之间提供几乎相同的第一间隔；其中该第一接地选择线在第二接地选择线和该第一多个字线之间，其中该第二接地选择线在第一接地选择线和该第二多个字线之间，其中该第一和第二接地选择线之间的部分有源区没有字线，以及，其中该第一和第二接地选择线之间的第二间隔大于第一间隔至少约3倍。