发明名称 环形振荡器的散射测量方法
摘要 本发明大致关于具有嵌入式环形振荡器(20)的散射测量法结构及使用该结构德各种方法。在所列举的一个实施例中,该方法包含有形成由具有用于复数个N沟道晶体管的复数个栅极结构(26)的第一格栅结构(22)和具有用于复数个P沟道晶体管的复数个栅极结构(28)的第二格栅结构(24)构成的环形振荡器(20)、利用散射测量法工具(44)测量在第一格栅结构(22)和/或第二格栅结构(24)中至少其中一个栅极结构的临界尺寸和/或轮廓。在另一个实施例中,该方法更包含有将测量得到的栅极结构的临界尺寸和/或轮廓与模型相比较,以便预测环形振荡器(20)的至少一个的电气性能特性。在又一个实施例中,该方法还包含有形成至少一个可作为环形振荡器(20)一部分的包含有复数个特性(32)的电容性负载结构(30),和利用散射测量法工具(44)测量包含电容性负载结构(30)的特性(32)的至少一个临界尺寸和/或轮廓。该方法还包含有将测量得到的特性(32)的临界尺寸和/或轮廓与模型相比较以便预测环形振荡器(20)的至少一个的电气性能特性。
申请公布号 CN100362358C 申请公布日期 2008.01.16
申请号 CN02828600.6 申请日期 2002.12.17
申请人 先进微装置公司 发明人 H·E·纳里曼
分类号 G01R31/265(2006.01);H01L21/66(2006.01) 主分类号 G01R31/265(2006.01)
代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人 戈泊;程伟
主权项 1.一种环形振荡器的散射测量方法,其包括:形成环形振荡器(20),环形振荡器(20)包括由用于复数个N沟道晶体管的复数个栅极结构(26)组成的第一格栅结构(22)和由用于复数个P沟道晶体管的复数个栅极结构(28)组成的第二格栅结构(24);利用散射测量法工具(44)测量所述第一格栅结构(22)和所述第二格栅结构(24)的至少其中之一中的至少一个所述栅极结构的临界尺寸和轮廓的至少其中之一;和将所测量的所述至少一个栅极结构的临界尺寸和轮廓的至少其中之一与模型相比较,以便预测所述环形振荡器(20)的至少一个的电气性能特性。
地址 美国加利福尼亚州