半导体器件及电子装置

摘要

本发明提供了一种半导体非易失存储器，其中能够以高速低功耗进行存储信息的写入或擦除，且其中写入或擦除之后的阈值电压分散宽度非常窄。存储晶体管的沟道区被分成写入控制区和写入区二个区域。写入控制区和写入区具有不同的阈值电压。写入仅仅在写入区中进行。当积累在浮栅中的电荷量由于写入而达到特定的数值时，写入控制区关断。写入控制区被用作写入操作的开关以便自动停止写入。因此，能够获得能以高速低功耗进行写入的并在写入或擦除之后的阈值电压控制方面优越的包含存储晶体管的非易失存储器。

主权项

1.一种配备有多个存储晶体管的半导体器件，它包含：包含源区、漏区以及沟道形成区的有源层；形成在有源层上的第一绝缘膜；形成在第一绝缘膜上的浮栅；形成在浮栅上的第二绝缘膜；以及形成在第二绝缘膜上的控制栅，包括在沟道形成区中的第一区和第二区，其中第一区设置在源区和漏区之间；其中第二区设置在第一区和漏区之间；其中在第一区上的浮栅的第一部分比在第二区上的浮栅的第二部分薄；其中第一区的阈值电压大于第二区的阈值电压。