发明名称 | 功率金氧半导体组件 | ||
摘要 | 本发明提供一种功率金氧半导体组件,包含一漏极、一设置于该漏极上的基体,其具有一基体顶表面、内嵌于基体中之一源极,其从基体顶表面向下延伸至基体中、一栅极沟槽,其穿过源极及基体并延伸至漏极中,在栅极沟槽中设置有一栅极、连接沟槽的一源极基体,其具有一沟槽壁及沿着沟槽壁设置的一反穿透植入区域。一种制造半导体装置的方法,包括在基板上形成一具有顶层基本表面之硬屏蔽,在基板内形成一栅极沟槽,而在栅极沟槽中穿过硬屏蔽沉积有栅极材料,将硬屏蔽移除留下一栅极结构,形成一源极基体,其连接具有沟槽壁之沟槽,并形成一反穿透植入区域。 | ||
申请公布号 | CN101107718A | 申请公布日期 | 2008.01.16 |
申请号 | CN200680003301.3 | 申请日期 | 2006.02.10 |
申请人 | 万国半导体股份有限公司 | 发明人 | 安荷·叭剌 |
分类号 | H01L29/94(2006.01) | 主分类号 | H01L29/94(2006.01) |
代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人 | 王敏杰 |
主权项 | 1.一种金氧半导体组件,包括:一漏极;一基体,其是设置于该漏极上方,该基体具有一基体顶表面;一源极,其是内嵌于该基体中,从该基体顶表面向下延伸至该基体中;一栅极沟槽,其是穿过该源极及该基体而延伸至该漏极中;一栅极,其是设置于该栅极沟槽中;以及一源极基体接触沟槽,其具有一沟槽壁及一反穿透植入区域,该源极基体接触沟槽是沿着该沟槽壁设置。 | ||
地址 | 百慕大哈密尔敦 |