发明名称 场发射显示元件的跨接支撑结构及其制作方法
摘要 一种场发射显示元件的跨接支撑结构及其制作方法,该场发射显示元件的跨接支撑结构包括:多个绝缘层,所述绝缘层以堆叠形式相互重叠;以及导电层,其设置在所述绝缘层的最后一层表面,其中该导电层具有形成在表面的凹槽。本发明场发射元件的跨接支撑结构是设置在场发射显示的阴极基板与阳极基板之间,以提供各电极导线的跨接,从而达到最短距离的导通路径,用以作为阴极基板与阳极基板之间的真空支撑,同时,设置在阴、阳极之间的电极导线结构均匀稳定,使得导通电路能够稳定并且维持最佳效果。
申请公布号 CN101106049A 申请公布日期 2008.01.16
申请号 CN200610101482.5 申请日期 2006.07.10
申请人 东元电机股份有限公司 发明人 徐伟胜;高正杰;钟易蓉
分类号 H01J9/00(2006.01);H01J29/02(2006.01);H01J29/86(2006.01) 主分类号 H01J9/00(2006.01)
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人 陈晨
主权项 1.一种场发射显示的支撑结构的制作方法,其特征在于:包含下列步骤:(a)提供基板;(b)通过印制方式,将绝缘层形成在该基板上;(c)通过第一预烤加工,以预烤该绝缘层表面;(d)通过该印制方式,堆叠另一个绝缘层在该绝缘层上;(e)通过该第一预烤加工,以预烤该另一个绝缘层表面;(f)重复步骤(d)(e),以在该基板上堆叠印制出多个绝缘层;(g)通过该印制方式,将导电层堆叠在最后一层绝缘层上;(h)通过第二预烤加工,以预烤该导电层表面;(i)通过压模方式,在该导电层表面形成凹槽;(j)通过第三预烤加工,以预烤所述绝缘层与该导电层;以及(k)通过烧结方式,以固化所述绝缘层与该导电层。
地址 中国台湾台北市