发明名称 VERFAHREN UND EINRICHTUNG ZUM LASERÄTZEN EINER STRUKTUR DURCH ZUNÄCHST BESTRAHLEN VON BEREICHEN DER STRUKTUR ZUR ÄNDERUNG DER KRISTALLINITÄT
摘要 <p>An etching method includes applying a first electromagnetic radiation to an area of structure, thereby altering a characteristic of the structure in the area, and applying a second electromagnetic radiation to the structure, the second electromagnetic radiation configured to selectively ablate the structure based on the characteristic.</p>
申请公布号 AT383221(T) 申请公布日期 2008.01.15
申请号 AT20050736848T 申请日期 2005.04.18
申请人 HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. 发明人 NELSON, CURT;LONG, GREG
分类号 B23K26/40;B01J19/12;B23K26/06;B23K26/42;C23F4/00;H01L21/268 主分类号 B23K26/40
代理机构 代理人
主权项
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