| 主权项 |
1.一种形成接触结构之方法,其包括: 将一基板放置在电解溶液中,该基板具有一暴露的 传导性部份,该电解溶液包含复数种金属离子和加 速剂,该加速剂包含二硫化双(磺酸基丙基钠)和3- 氢硫基-1-丙烷磺酸钠盐中至少一者;且 将一电压施加跨过该电解溶液和该基板的传导性 部份以造成该金属离子被还原成为金属且沈积在 该传导性部份之上而在该传导性部份之上形成接 触结构。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该电解溶液进 一步包含质子化有机添加剂。 3.如申请专利范围第2项之方法,其中该质子化有机 添加剂包含聚胺和聚醯亚胺中至少一者。 4.如申请专利范围第3项之方法,其中该电解溶液进 一步包含一酸。 5.如申请专利范围第4项之方法,其中该电解溶液进 一步包含一界面活性剂。 6.如申请专利范围第5项之方法,其中该酸包含至少 一种下列者:硫酸、甲烷磺酸、苯磺酸、三硝基苯 磺酸、乙烷磺酸和丙烷磺酸。 7.如申请专利范围第6项之方法,其中该界面活性剂 包含聚乙二醇和聚丙二醇中至少一者。 8.如申请专利范围第7项之方法,其中该金属离子为 铜离子。 9.如申请专利范围第8项之方法,其中该加速剂的浓 度为在约10ppm与500ppm之间。 10.如申请专利范围第9项之方法,其中该质子化有 机添加剂的浓度为在约0.5克/升与2克/升之间。 11.如申请专利范围第10项之方法,其中该酸的浓度 为在约5克/升与150克/升之间且该金属离子的浓度 为在约10克/升与60克/升之间。 12.如申请专利范围第11项之方法,其中该界面活性 剂的浓度为在约0.5克/升与2克/升之间。 13.如申请专利范围第12项之方法,其中该基板为一 种在其中形成有一积体电路的半导体基板且该传 导性部份系经电连接到该积体电路。 14.一种在半导体基板上形成接触结构之方法,其包 括: 将一半导体基板放置在电解溶液中,该半导体具有 在其中形成的至少一积体电路和经电连接到该至 少一积体电路的至少一暴露的传导性部份,该电解 溶液包含复数种金属离子和加速剂,该加速剂包含 二硫化双(磺酸基丙基钠)和3-氢硫基-1-丙烷磺酸钠 盐中至少一者;且 将一电压施加跨过该电解溶液和该基板的至少一 传导性部份以造成该金属离子被还原成为金属且 沈积在该至少一传导性部份之上而在该至少一传 导性部份之上形成至少一接触结构。 15.如申请专利范围第14项之方法,其中该电解溶液 进一步包含质子化有机添加剂。 16.如申请专利范围第15项之方法,其中该质子化有 机添加剂包含聚胺和聚醯亚胺中至少一者。 17.如申请专利范围第16项之方法,其中该电解溶液 进一步包含一酸。 18.如申请专利范围第17项之方法,其中该电解溶液 进一步包含一界面活性剂。 19.如申请专利范围第18项之方法,其中该酸包含至 少一种下列者:硫酸、甲烷磺酸、苯磺酸、三硝基 苯磺酸、乙烷磺酸和丙烷磺酸。 20.如申请专利范围第19项之方法,其中该界面活性 剂包含聚乙二醇和聚丙二醇中至少一者。 21.如申请专利范围第20项之方法,其中该金属离子 为铜离子。 22.如申请专利范围第21项之方法,其中该加速剂的 浓度为在约10ppm与500ppm之间。 23.如申请专利范围第22项之方法,其中该质子化有 机添加剂的浓度为在约0.5克/升与2克/升之间。 24.如申请专利范围第23项之方法,其中该酸的浓度 为在约5克/升与150克/升之间且该金属离子的浓度 为在约10克/升与60克/升之间。 25.如申请专利范围第24项之方法,其中该界面活性 剂的浓度为在约0.5克/升与2克/升之间。 26.如申请专利范围第25项之方法,其中该积体电路 为一种微处理器。 27.一种在半导体基板上形成接触结构之方法,其包 括: 将一半导体基板放置在第一电解溶液中,该半导体 有在其中形成的至少一积体电路和经电连接到该 至少一积体电路的至少一暴露的传导性部份,该第 一电解溶液包含第一复数种金属离子; 于该半导体基板在第一电解溶液内之同时,将一电 压施加跨过该电解溶液和该基板的至少一传导性 部份,以造成一部份该第一复数种金属离子被还原 成为金属且沈积在该至少一传导性部份之上; 将一半导体基板放置在第二电解溶液中,该第二电 解溶液包括第二复数种金属离子和一加速剂,该加 速剂包含二硫化双(磺酸基丙基钠)和3-氢硫基-1-丙 烷磺酸钠盐中至少一者;以及 于该半导体基板在第二电解溶液内之同时,将一电 压施加跨过该电解溶液和该基板的至少一传导性 部份,以造成一部份该第二复数种金属离子被还原 成为金属且沈积在该至少一传导性部份之上而在 该至少一传导性部份之上形成至少一接触结构。 28.如申请专利范围第27项之方法,其中该第二电解 溶液进一步包含质子化有机添加剂。 29.如申请专利范围第28项之方法,该第一和第二复 数种金属离子为铜离子。 30.如申请专利范围第29项之方法,其中该质子化有 机添加剂包含聚胺和聚醯亚胺中至少一者。 图式简单说明: 图1A为半导体基板的俯视平面图; 图1B为图1A所示半导体基板的横截面图; 图2A为微电子基片(die)或图1A所示半导体基板一部 份的横截面图; 图2B为其上有形成一钝化层的微电子基片之横截 面侧视图; 图2C为有在该钝化层上面形成黏着层和晶种层的 微电子晶片之横截面侧视图; 图2D为在晶种层上有形成光阻剂层的微电子基片 之横截面侧视图; 图3为一电镀装置的横截面示意图; 图4A和4B为图解说明在光阻剂层中的沟槽内形成接 触结构时,微电子基片的横截面侧视图; 图5A和5B为图解说明光阻剂层移除时之微电子基片 之横截面侧视图; 图6为其上形成复数个接触结构的半导体基板之透 视图; 图7A为接到印刷电路板的微电子基片之横截面侧 视图; 图7B为接到印刷电路板的微电子基片之透视图; 图8为接到印刷电路板的封装基板之透视图;及 图9为运算系统的方块图。 |
