| 主权项 |
1.一种制造半导体装置的方法,包含步骤: 设置一具有厚度等于或大于最终厚度之凹槽在一 半导体晶圆之一第一面上,该面上形成有一半导体 元件; 将感压黏着(PSA)带固定至该半导体晶圆形成有凹 槽的第一面; 藉由处理相反于该半导体晶圆之第一面的一第二 面,而降低该半导体晶圆的厚度,第一面系固定有 该PSA带,以将该半导体晶圆分离成多数半导体晶片 ,其上形成有半导体元件; 将一黏剂层固定至被分离之半导体晶圆的整个背 面上; 将该黏剂层切割,以分离每一半导体晶片之黏剂层 ; 及 于藉由使用被分割成至少两吸附区的一多孔件,以 吸附固定该半导体晶圆的同时,将该PSA带由该半导 体晶圆剥离。 2.如申请专利范围第1项所述之制造半导体装置的 方法,其中该剥离PSA带包含步骤: 相对于PSA带被剥离方向,藉由用与上述吸附区相关 之至少两系统之吸附路径,吸附该半导体晶圆,以 将半导体晶圆固定至该多孔件;及 当PSA带沿着剥离方向剥离,以及,PSA带的一部份在 彼此邻近之多数吸附区之一被剥离时,在PSA带剥离 达到另一邻近吸附区附近处,切换其间之吸附路径 ,以吸附该半导体晶圆,藉以将该半导体晶圆固定 至其他吸附区中之多孔件上, 该黏剂层系反应于黏剂层被切割之状态,而同时于 至少两或更多系统之吸附路径间之切换控制加以 切割。 3.如申请专利范围第1项所述之制造半导体装置的 方法,其中该半导体晶圆具有一密封树脂,形成在 该第一面上,及一低介电常数绝缘膜,形成以接触 此密封树脂; 该PSA带系经由密封树脂及低介电常数绝缘膜,黏着 地黏结至该半导体晶圆之第一面上;及 该方法更包含熔化至少一部份之低介电常数绝缘 膜及密封树脂,以将低介电常数绝缘膜固定至密封 树脂。 4.如申请专利范围第1项所述之制造半导体装置的 方法,其中该PSA带系由一热可收缩膜为主材料及一 黏剂层所构成,并可以藉由热收缩,由该半导体晶 圆剥离。 5.如申请专利范围第4项所述之制造半导体装置的 方法,其中该PSA带的黏剂为一UV可固化黏剂。 6.如申请专利范围第5项所述之制造半导体装置的 方法,其中该PSA带为在UV照射后被剥离。 7.如申请专利范围第1项所述之制造半导体装置的 方法,其中该凹槽系藉由刀片切割、雷射、蚀刻及 劈开之任一方式加以设置。 8.如申请专利范围第1项所述之制造半导体装置的 方法,更包含: 在降低半导体晶圆的厚度后,蚀刻第一面。 9.如申请专利范围第1项所述之制造半导体装置的 方法,其中该黏剂层系为具有可固化材料之热固黏 剂层。 10.如申请专利范围第1项所述之制造半导体装置的 方法,其中该黏剂层系为刀片、雷射及蚀刻之任一 方法所切割。 11.一种制造半导体装置的方法,包含步骤: 设置一具有厚度等于或大于最终厚度之凹槽在一 半导体晶圆之一第一面上,该第一面上形成有一半 导体元件; 将一感压黏着(PSA)带固定至该半导体晶圆形成有 凹槽的第一面; 藉由处理相反于该半导体晶圆之第一面的一第二 面,而降低该半导体晶圆的厚度,第一面系固定有 该PSA带,以将该半导体晶圆分离成多数半导体晶片 ,其上形成有半导体元件; 将一黏剂层固定至被分离之半导体晶圆的整个背 面上; 于固定被固定有黏剂层之半导体晶圆的同时,藉由 使用被分割成至少两吸附区的一多孔件加以吸取 时,将该PSA带由该半导体晶圆剥离;及 切割该固定至整个第二面之黏剂层,以将用于每一 半导体晶片之黏剂层分隔,同时,也将已经将PSA剥 离之半导体晶圆以该吸附力,固定至该多孔件。 12.如申请专利范围第11项所述之制造半导体装置 的方法,其中该剥离PSA带包含: 相对于PSA带被剥离方向,藉由用与上述吸附区相关 之至少两系统之吸附路径,吸附该半导体晶圆,以 将半导体晶圆固定至该多孔件;及 当PSA带沿着剥离方向剥离,以及,PSA带的一部份在 彼此邻近之多数吸附区之一被剥离时,在PSA带剥离 达到另一邻近吸附区附近处,切换其间之吸附路径 '以吸附该半导体晶圆,藉以将该半导体晶圆固定 至其他吸附区中之多孔件上, 该黏剂层系反应于黏剂层被切割之状态,而同时于 至少两或更多系统之吸附路径间之切换控制加以 切割。 13.如申请专利范围第11项所述之制造半导体装置 的方法,其中该半导体晶圆具有一密封树脂,形成 在该第一面上,及一低介电常数绝缘膜,形成以接 触此密封树脂; 该PSA带系经由密封树脂及低介电常数绝缘膜,黏着 地黏结至该半导体晶圆之第一面上;及 该方法更包含熔化至少一部份之低介电常数绝缘 膜及密封树脂,以将低介电常数绝缘膜固定至密封 树脂。 14.如申请专利范围第11项所述之制造半导体装置 的方法,其中该PSA带系由一热可收缩膜为主材料及 一黏剂层所构成,并可以藉由热收缩,由该半导体 晶圆剥离。 15.如申请专利范围第14项所述之制造半导体装置 的方法,其中该PSA带的黏剂为一UV可固化黏剂。 16.如申请专利范围第15项所述之制造半导体装置 的方法,其中该PSA带为在UV照射后被剥离。 17.如申请专利范围第11项所述之制造半导体装置 的方法,其中该凹槽系藉由刀片切割、雷射、蚀刻 及劈开之任一方式加以设置。 18.如申请专利范围第11项所述之制造半导体装置 的方法,更包含: 在降低半导体晶圆的厚度后,蚀刻第一面。 19.如申请专利范围第11项所述之制造半导体装置 的方法,其中该黏剂层系为具有可固化材料之热固 黏剂层。 20.如申请专利范围第11项所述之制造半导体装置 的方法,其中该黏剂层系为刀片、雷射及蚀刻之任 一方法所切割。 图式简单说明: 第1至7图为程序剖面图,说明依据本发明第一实施 例之一半导体元件形成于一半导体晶圆上,然后, 半导体晶圆被分裂为半导体晶片,及一固定至半导 体晶圆之PSA带被加以剥离; 第8图为一立体图,显示用于本发明第一实施例中 之晶粒黏着机之架构; 第9A图为用于剥离程序及拾取程序之第8图之晶粒 黏着机之晶圆吸取部份之平面图,及第9B图为沿着 第9A图之线A-A所取之剖面图; 第10A至10C图为用以解释在示于第8图之晶圆吸取部 份及予以分成晶片之半导体晶圆间之位置关系平 面图; 第11图为第8图所示之晶粒黏着机所包含之PSA带剥 离机构之剖面图; 第12及13图为第8图所示之晶粒黏着机所包含之半 导体晶片拾取机构的剖面图; 第14A至14C图为一立体示意图,用以解释安装依据本 实施例半导体晶片拾取之程序; 第15至17图为程序剖面图,其解释依据本发明第二 实施例,其中,一PSA带固定至形成有半导体元件之 半导体晶圆上,该半导体晶圆被分割成半导体晶片 并被剥离,及一黏剂层随后被切割成一晶片大小; 第18A至18C图为剖面图,用以解释依据本发明第二实 施例之剥离机构及拾取机构由剥离PSA带的程序至 拾取半导体晶片之程序; 第19A至19D图为程序剖面图,用以解释程序,其中具 有元件形成在一元件形成面及一低介电常数绝缘 膜形成在元件形成面上之半导体晶圆被分裂成多 数半导体晶片,一PSA带然后被剥离及低介电常数绝 缘膜被熔化; 第20A至20D与21图为解释本发明第二实施例之比较 示意图; 第22图为本发明第二实施例之效果的示意图; 第23图为传统拾取装置例子之主要元件放大剖面 图; 第24A及25A图为具有半导体晶片厚度低于半导体晶 片100微米可能发生之传统破裂之剖面图; 第24B及25B图为示于第24A及25A图中之半导体晶片之 平面图;及 第26至31图为半导体晶片生产中传统堆叠MCP产品之 制程的剖面图。 |
